90 New Tech & Products 에이수스 인텔 12세대 프로세서 위한 메인보드 시리즈 출시 서재창 기자 eled@hellot.net 에이수스 코리아 이하 에이수스 는 최신의 인텔 12세대 프로세서를 지원하는 H670, B660, H610 칩셋 메인보드를 국내에 정식으로 발표했다. 에이수스의 H670 칩셋 메인보드 라인업은 Z690과 동일하게 PCIe 5.0 x16을 지원할 뿐 아니라 PCIe 4.0에 대해서도 동일한 12레인을 지원해 다양한 내·외부기기와의 확장이 용이하다. TUF Gaming H670-PRO WiFi D4는 PCIe 5.0 x16 슬롯을 갖춰 최신 그래픽카드와의 높은 호환성 및 성능을 제공하며, 최대 5333MHz OC DDR4 메모리를 지원해 고성능 시스템 구축이 가능하다. 또한, 4개의 PCIe 4.0 M.2 슬롯을 갖춰 고속 데이터 기반의 넉넉한 저장 공간을 제공 한다. 이 제품은 전면 패널을 위한 썬더볼트 4, USB 3.2 Gen 1 Type-C 헤더 지원 및 후면 I/O 패널로 다수의 USB 포트를 제공해 다양한 IT 기 기와 연결이 용이하다. 또한, 안정적인 고속의 데이터 전송을 위해 2.5Gb 이더넷 포트와 Wi-Fi 6 무선 연결을 지원한다. B660 칩셋 메인보드의 경우, 인텔 12세대 프로세서를 기반으로 향상된 성능을 사용자에게 제공한다. 일부 모델에 강력한 쿨링을 위한 안정적 인 전원부, 냉각 옵션을 제공해 높은 오버클럭으로 CPU를 최대치로 활용한다. B660 칩셋 메인보드는 최신 PCIe 5.0 지원으로 차세대 그래픽 카드를 사용한다. 모델에 따라 현존하는 가장 메모리 중 가장 빠른 DDR5 메모리를 지원하며, DDR5, DDR4 메모리 지원 모델에 관계없이 에 이수스 B660 칩셋 메인보드를 통한 손쉬운 메모리 오버클럭으로 시스템 성능을 향상시킨다. Wi-Fi 6 또는 썬더볼트 4 헤더가 있는 모델도 준 비돼 있어 무선 연결 환경이 요구하거나 빠른 외부기기와의 데이터 전송을 필요로 하는 사용자에게 유용하다. ROG Strix B660-F Gaming WiFi는 16+1으로 구성된 전원부로 인텔 CPU에 안정적으로 전력을 제공하도록 설계됐다. PCIe 5.0 x16 슬롯 및 DDR5 메모리 지원으로 차세대 그래픽카드 및 메모리가 가진 최신 기술의 이점을 활용한다. 3개의 온보드 M.2 슬롯으로 고속 및 고용량 SSD 기반의 시스템 구성이 가능하다. 또한, 3개의 주소 지정이 가능한 RGB 헤더 3개와 4핀 Aura RGB 헤더 1개는 화려한 조명 효과를 제공해 ROG의 개성을 시각적으로 표현하며, Aura Sync를 통한 호환 주변기기의 조명 효과를 동기화해 보다 극대화한다. ▲ TUF Gaming H670-PRO WiFiD4
전자기술 | 2022•2 91 인피니언 GaN SG HEMT 성능 향상 위한 EiceDRIVER 출시 미디엄 전압 레벨 갈륨 나이트라이드 GaN 스위치의 효율적인 동작과 R&D 노력 및 비용 최소화는 최신 전력 전자 시스템의 핵심 요구 사 항이다. 인피니언 테크놀로지스 이하 인피니언 는 전체 시스템 솔루션을 강화하기 위해 전략적으로 설계된 GaN 제품 포트폴리오에 따라 EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 단일 채널 게이트 드라이버 IC 제품군을 출시했다. 이들 제품은 CoolGaN 쇼트키 게이트 HEMT의 성능 향상을 위해 설계됐으며, 다른 GaN HEMT 및 실리콘 MOSFET과도 호환된다. 이들 게 이트 드라이버는 DC-DC 컨버터, 모터 드라이브, 텔레콤, 서버, 로봇, 드론, 전동 공구, Class-D 오디오 증폭기 같은 다양한 애플리케이션에 적합하다. 1EDN71x6G 시리즈는 선택 가능한 풀업 및 풀다운 구동 능력 조절이 제공되므로 게이트 저항 없이 파형과 스위칭 속도를 최적화 한다. 따라서 더 적은 BOM 부품으로 전력 스테이지 레이아웃을 소형화한다. 구동이 가장 강하고 빠른 1EDN7116G는 상당한 병렬연결이 있 는 하프 브리지 구성에 적합하고, 구동이 가장 약하고 느린 1EDN7146G는 모터 드라이브같이 dv/dt가 제한적인 애플리케이션이나 다이가 매 우 작은 GaN 높은 RDS on 과 낮은 Qg HEMT와 사용하기에 적합하다. 각각의 제품은 최소 권장 데드 타임, 최소 펄스 폭 및 전파 지연에 비 례해 각기 다른 블랭킹 시간으로 제공된다. TDI truly differential logic inputs, 완전 차동 로직 입력 기능은 로우사이드 애플리케이션에서 접지 바운스로 인한 잘못된 트리거의 위험성을 제거하고 1EDN71x6G가 하이사이드 애플리케이션도 처리하도록 한다. 이뿐 아니라 모든 제품이 극히 강한 풀다운이 있는 액티브 밀러 클램 프를 특징으로 해 유도 턴온을 방지한다. 이는 특히 트랜지스터를 높은 밀러 비율로 구동할 때 게이트 구동 루프의 글리치에 대한 견고성을 높인다. 1EDN71x6G는 액티브 부트스트랩 클램프 기능을 제공하여 데드 타임 동안 부트스트랩 커패시터 과충전을 방지한다. 이는 부트스트랩 전원 전압 레귤레이션을 달성하므로, 추가적인 레귤레이션 회로를 필요로 하지 않고 상측 트랜지스터 게이트를 보호한다. 또한, 선택 기능으로서 음의 턴오프 전원 전압을 조절하는 프로그래머블 차지 펌프를 제공하므로, PCB 레이아웃을 완벽하게 최적화할 수 없는 경우 밀러 유도 턴 온에 대한 내성을 높인다. 서재창 기자 eled@hellot.net
